[請益] 空乏深度計算

基本的PN junction(一層P跟一層N)空乏區推導與計算小弟還可以 主要想請教的是進階一點的多層不同濃度的空乏區計算 假設今天是P/P-/N+這樣的結構(如下圖) 大概要怎麼去計算或推導空乏深度呢? 目前的想法是想先用濃度算出flat band下 #1(P)和#2(P-)間的build-in potential以及#2(P-)與#3(N+)間的build-in potential 但就卡在這邊，不太確定要怎麼做 想像上#2(P-)會先開始空乏，等偏壓加到夠大後，完後再空乏到#1(P) 在#2(P-)完全空乏前應該跟基本的PN junction空乏區計算一樣 但空乏到#1(P)後就不知道該怎麼做了，不知道能否有高手幫忙指點迷津 而且會不會有case是#2(P-)的厚度T2小於熱平衡下的空乏區深度 也就是直接空乏到#1(P)，那這樣又該如何計算? #1 #2 #3 濃度P 厚度T1 / 濃度P- 厚度T2 / 濃度N+ 厚度T3 Flat band ---------------------------------------------Ec _______________ ↖ Ef _________________ _____________ ---------------------------------------------Ev 熱平衡 ------------- \ ---------------- \ \ ------------Ec ____________________________________________ Ef ------------- \ ---------------- \ \------------Ev -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 125.229.212.49 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1729695537.A.54F.html