[請益] 空乏深度計算
基本的PN junction(一層P跟一層N)空乏區推導與計算小弟還可以
主要想請教的是進階一點的多層不同濃度的空乏區計算
假設今天是P/P-/N+這樣的結構(如下圖)
大概要怎麼去計算或推導空乏深度呢?
目前的想法是想先用濃度算出flat band下
#1(P)和#2(P-)間的build-in potential以及#2(P-)與#3(N+)間的build-in potential
但就卡在這邊，不太確定要怎麼做
想像上#2(P-)會先開始空乏，等偏壓加到夠大後，完後再空乏到#1(P)
在#2(P-)完全空乏前應該跟基本的PN junction空乏區計算一樣
但空乏到#1(P)後就不知道該怎麼做了，不知道能否有高手幫忙指點迷津
而且會不會有case是#2(P-)的厚度T2小於熱平衡下的空乏區深度
也就是直接空乏到#1(P)，那這樣又該如何計算?
#1 #2 #3
濃度P 厚度T1 / 濃度P- 厚度T2 / 濃度N+ 厚度T3
Flat band
---------------------------------------------Ec
_______________
↖
Ef
_________________
_____________
---------------------------------------------Ev
熱平衡
-------------
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----------------
\
\
------------Ec
____________________________________________ Ef
-------------
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----------------
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\------------Ev
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