[問題] 費米能階的問題
在半導體中,一直探討費米能階問題
念久了有些不懂的問題需要請教:
1.半導體書中都會告訴我們PN接面、金半接面與MOS電容器三個系統
若是無外加偏壓(即在熱平衡)下,
系統中的費米能階是一個常數。
但是,為何三個系統加了偏壓後,
系統中的分米能階會分裂成兩個,而不再只是一條直線?
2.為何PN接面在P型區接地、N型區加負偏時
N型區的Ef會較PN接面熱平衡時的Ef往上抬升
我的想法是,對電子來說,E=qV,
所以V<0,E應該是較PN接面熱平衡時的Ef往下降
3.金半皆面與MOS電容器
為何以能帶圖解釋偏壓時,
幾乎都聲明金屬端的費米能階不會動,動的都是半導體端的
是跟上述一樣,都是假設金屬端接地嗎?
4.最後,系統為金屬-n型半導體(金半接面)時
只有能量超過位能障的多數載子(電子),
才能熱離子發射至對向。
金半接面的主要電流不考慮少數載子的影響。
這樣敘述是否正確。
請教各位了,謝謝!
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